| InAsSb势垒阻挡型红外探测器暗电流特性研究 |
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| 引用本文： | 陈冬琼,王海澎,秦强,邓功荣,尚发兰,谭英,孔金丞,胡赞东,太云见,袁俊,赵鹏,赵俊,杨文运. InAsSb势垒阻挡型红外探测器暗电流特性研究[J]. 红外与毫米波学报, 2022, 41(5): 810-817 |
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| 作者姓名： | 陈冬琼 王海澎 秦强 邓功荣 尚发兰 谭英 孔金丞 胡赞东 太云见 袁俊 赵鹏 赵俊 杨文运 |
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| 作者单位： | 昆明物理研究所，云南 昆明 650223,昆明物理研究所，云南 昆明 650223,昆明物理研究所，云南 昆明 650223,昆明物理研究所，云南 昆明 650223,昆明物理研究所，云南 昆明 650223,昆明物理研究所，云南 昆明 650223,昆明物理研究所，云南 昆明 650223,昆明物理研究所，云南 昆明 650223,昆明物理研究所，云南 昆明 650223,昆明物理研究所，云南 昆明 650223,昆明物理研究所，云南 昆明 650223,昆明物理研究所，云南 昆明 650223,昆明物理研究所，云南 昆明 650223 |
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| 基金项目： | 云南省中青年学术和技术带头人后备人才项目 |
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| 摘 要： | 计算了不同温度下由辐射复合和俄歇复合决定的InAsSb材料的载流子寿命，结果表明，低温下n型InAsSb材料的载流子寿命受限于辐射复合过程，而高温下InAsSb材料的载流子寿命取决于Auger 1复合过程。讨论了势垒阻挡型器件的暗电流解析模型及暗电流抑制机理，通过在nBn吸收层的另一侧增加重掺杂的n型电极层形成nBnn+结构对吸收区内的载流子进行耗尽，吸收区少数载流子浓度降低约两个数量级，从而进一步降低器件暗电流。成功制备了InAsSb-基nBnn+器件，150 K下器件暗电流低至3×10-6 A/cm2，采用势垒结构器件的暗电流解析模型对150 K下器件的暗电流进行拟合分析，结果表明由于势垒层为p型掺杂，在吸收层形成耗尽区，导致器件中的产生复合电流并没有完全被抑制，工作温度低于180 K，器件暗电流受限于产生复合电流，工作温度高于180 K，器件暗电流受限于扩散电流。
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| 关 键 词： | 铟砷锑 高工作温度 势垒 中红外 |
| 收稿时间： | 2022-04-24 |
| 修稿时间： | 2022-09-16 |
Research on dark current characteristics of InAsSb Barrier-blocking infrared detector |
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| CHEN Dong-Qiong,WANG Hai-Peng,QIN Qiang,DENG Gong-Rong,SHANG Fa-Lan,TAN Ying,KONG Jin-Cheng,HU Zan-Dong,TAI Yun-Jian,YUAN Jun,ZHAO Peng,ZHAO Jun and YANG Wen-Yun. Research on dark current characteristics of InAsSb Barrier-blocking infrared detector[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2022, 41(5): 810-817 |
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| Authors: | CHEN Dong-Qiong WANG Hai-Peng QIN Qiang DENG Gong-Rong SHANG Fa-Lan TAN Ying KONG Jin-Cheng HU Zan-Dong TAI Yun-Jian YUAN Jun ZHAO Peng ZHAO Jun YANG Wen-Yun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InAsSb high operating temperature barrier mid-infrared |
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