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基于薄膜工艺的1 030 GHz混频器和750~1 100 GHz倍频器研制
引用本文:孟进,张德海,牛斌,朱皓天,刘锶钰,范道雨,陈胜堂,周明. 基于薄膜工艺的1 030 GHz混频器和750~1 100 GHz倍频器研制[J]. 红外与毫米波学报, 2022, 41(5): 871-878
作者姓名:孟进  张德海  牛斌  朱皓天  刘锶钰  范道雨  陈胜堂  周明
作者单位:中国科学院国家空间科学中心微波遥感重点实验室,北京 100190,中国科学院国家空间科学中心微波遥感重点实验室,北京 100190,南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,江苏 南京 210016;南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司,江苏 南京 210016,中国科学院国家空间科学中心微波遥感重点实验室,北京 100190,中国科学院国家空间科学中心微波遥感重点实验室,北京 100190,南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,江苏 南京 210016,南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,江苏 南京 210016;南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司,江苏 南京 210016,南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,江苏 南京 210016
基金项目:中国科学院青年创新促进会(E1213A041S);中科院国家空间科学中心“攀登计划”(E0PD40013S)
摘    要:基于南京电子器件研究所砷化镓工艺线,自主完成了750~1 100 GHz全频带三倍频器以及中心频率为1 030 GHz的低损耗二次谐波混频器的研制。为了提升模块的性能,将传统的场路结合的设计方法进行了扩展,引入器件的参数优化,并建立起两者互为反馈的关系,从而达到整个设计过程的闭环。研制出的单片电路厚度为3 μm,并通过梁氏引线支撑悬置于腔体结构中。测试结果表明宽带倍频器在790~1 100 GHz频率范围内输出功率为-23~-11 dBm。以上述倍频源作为射频信号对二次谐波混频器进行测试,在1 020~1 044 GHz频率范围内变频损耗优于17.5 dB,在1 030 GHz处测得的最小变频损耗为14.5 dB。

关 键 词:太赫兹  单片电路  谐波混频器  宽带倍频
收稿时间:2022-01-24
修稿时间:2022-09-08

Design of a 1 030 GHz mixer and a 750~1 100 GHz tripler based on thin-film technology
MENG Jin,ZHANG De-Hai,NIU Bin,ZHU Hao-Tian,LIU Si-Yu,FAN Dao-Yu,CHEN Sheng-Tang and ZHOU Ming. Design of a 1 030 GHz mixer and a 750~1 100 GHz tripler based on thin-film technology[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2022, 41(5): 871-878
Authors:MENG Jin  ZHANG De-Hai  NIU Bin  ZHU Hao-Tian  LIU Si-Yu  FAN Dao-Yu  CHEN Sheng-Tang  ZHOU Ming
Abstract:
Keywords:terahertz  monolithic circuit  subharmonic mixer  broadband frequency multiplier
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