| GaAs／AlAs DBR的GSMBE优化生长及表征 |
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| 引用本文： | 谢正生,吴惠桢,劳燕锋,刘成,曹萌.GaAs／AlAs DBR的GSMBE优化生长及表征[J].稀有金属材料与工程,2007,36(4):587-591. |
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| 作者姓名： | 谢正生 吴惠桢 劳燕锋 刘成 曹萌 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100039
2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用气态源分子束外延（GSMBE）技术优化生长了GaAs／AlAs分布布拉格反射镜（DBR）材料，并用X射线衍射（XRD）及反射光谱对其生长质量进行了表征。结果表明，采用5S间断生长的GaAs／AlAs DBR材料质量和界面质量优于无间断生长，并且10对GaAs／AlAs DBR的质量优于30对，说明DBR对数越多，周期厚度波动越大，材料质量越差。优化生长得到的30对GaAs／AlAsDBR的反射率大于99％，中心波长为1316nm，与理论设计结构的模拟结果基本一致，可用作1．3μm垂直腔面发射激光器（VVSEL）直接键合的反射腔镜。
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| 关 键 词： | 分布布拉格反射镜 气态源分子束外延 X射线衍射 反射谱 |
| 文章编号： | 1002-185X(2007)04-0587-05 |
| 修稿时间： | 2006年8月16日 |
GaAs/AlAs DBR Optimized Growth by GSMBE and Its Characterization |
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| Xie Zhengsheng,Wu Huizhen,Lao Yanfeng,Liu Cheng,Cao Meng.GaAs/AlAs DBR Optimized Growth by GSMBE and Its Characterization[J].Rare Metal Materials and Engineering,2007,36(4):587-591. |
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| Authors: | Xie Zhengsheng Wu Huizhen Lao Yanfeng Liu Cheng Cao Meng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | DBR GSMBE XRD reflectivity spectra |
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