| 温度对离子束溅射生长Ge/Si量子点的形貌影响 |
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| 引用本文： | 张学贵,王茺,杨杰,潘红星,鲁植全,李亮,杨宇.温度对离子束溅射生长Ge/Si量子点的形貌影响[J].功能材料,2010,41(11). |
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| 作者姓名： | 张学贵 王茺 杨杰 潘红星 鲁植全 李亮 杨宇 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，云南省自然科学基金重点资助项目，教育部科学技术研究重点资助项目 |
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| 摘 要： | 采用离子束溅射技术,在不同温度的Si(100)衬底上生长了一系列Ge量子点样品,利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征,结果表明,随着温度升高,量子点密度增大(750℃生长的量子点密度达到1.85×1010cm-2),均匀性变好及结晶性增强;但随生长温度升高,Si-Ge互混程度也同时加剧。
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| 关 键 词： | 离子束溅射 量子点 表面形貌 Raman光谱 |
The effect of temperature on the morphology of Ge/Si quantum dots grown by ion beam sputtering |
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| ZHANG Xue-gui,WANG Chong,YANG Jie,PAN Hong-xing,LU Zhi-quan,LI Liang,YANG Yu.The effect of temperature on the morphology of Ge/Si quantum dots grown by ion beam sputtering[J].Journal of Functional Materials,2010,41(11). |
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| Authors: | ZHANG Xue-gui WANG Chong YANG Jie PAN Hong-xing LU Zhi-quan LI Liang YANG Yu |
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