| 高剂量N^＋注入碳膜形成氮化碳CNx的研究 |
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| 引用本文： | 辛火平 石晓红. 高剂量N^＋注入碳膜形成氮化碳CNx的研究[J]. 核技术, 1996, 19(2): 90-92 |
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| 作者姓名： | 辛火平 石晓红 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家实验室，中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室，中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室 |
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| 摘 要： | 研究了利用高剂量的Ｎ＾＋注入碳膜形成氮化碳ＣＮｘ的可能性，对这种新材料进行了城叶变换红外吸收光谱、Ｘ射线光电子能说、Ｘ射线衍射和薄膜的维氏显微硬度等测量。结果表明，在１００ｋｅＶ高剂量Ｎ＾＋注入碳膜过程中形成了含有碳氮共价键成分的ＣＮｘ化合物。
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| 关 键 词： | 离子注入 碳膜 氮化碳 X射线 光电子能谱 |
Formation of carbon nitride CN_x by high dose nitrogen implantation into carbon film |
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| Xin Huoping,Shi Xiaohong,Zhu Hong,Lin Chenglu, Zou Shichang. Formation of carbon nitride CN_x by high dose nitrogen implantation into carbon film[J]. Nuclear Techniques, 1996, 19(2): 90-92 |
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| Authors: | Xin Huoping Shi Xiaohong Zhu Hong Lin Chenglu Zou Shichang |
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| Abstract: | The possibility of forming carbon nitride CNx by high dose nitrogen implantation into carbon film has been investigated.The sample is evaluated by Fourier transformation infrared absorption spectroscopy(FTIR),X-ray photoelectron spectroscopy(XPS),X-ray diffraction analysis(XRD) and Vickers microhardness measurement.The results verify the formation of C-N covalent bond in the sample during the process of high dose nitrogen implantation into carbon film. |
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| Keywords: | Ion implantation Carbon nitride Fourier transformation infrared absorption spectroscopy X-ray photoelectron spectyoscopy |
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