| 透明导电ZnO∶In薄膜光电性能的研究进展 |
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| 引用本文： | 方亮,彭丽萍,杨小飞,周科,吴芳. 透明导电ZnO∶In薄膜光电性能的研究进展[J]. 材料导报, 2009, 23(15) |
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| 作者姓名： | 方亮 彭丽萍 杨小飞 周科 吴芳 |
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| 作者单位： | 1. 重庆大学应用物理系,重庆,400044;重庆大学光电技术及系统教育部重点试验室,重庆,400044
2. 重庆大学应用物理系,重庆,400044 |
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| 基金项目： | 重庆市自然科学基金，重庆大学研究生创新基金，重庆大学"211工程"三期创新人才培养计划建设项目，重庆大学大型设备开放基金 |
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| 摘 要： | 本征ZnO是高阻材料,如何对其进行掺杂,提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键.从晶体结构和能带结构、影响光电性能的因素、透明导电机制、提高光电性能的途径等方面综述了In掺杂ZnO(ZnO:In)薄膜光电性能的研究进展,提出了降低ZnO:In薄膜电阻率和提高透光率的有效途径,并对未来的发展方向进行了简要说明.
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| 关 键 词： | 宽禁带半导体材料 ZnO:In薄膜 光学性质 电学性质 |
Research Advances of Opto-electrical Properties of Transparent Conductive ZnO:In Films |
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| FANG Liang,PENG Liping,YANG Xiaofei,ZHOU Ke,WU Fang. Research Advances of Opto-electrical Properties of Transparent Conductive ZnO:In Films[J]. Materials Review, 2009, 23(15) |
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| Authors: | FANG Liang PENG Liping YANG Xiaofei ZHOU Ke WU Fang |
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| Affiliation: | FANG Liang1,2,PENG Liping1,YANG Xiaofei1,ZHOU Ke1,WU Fang1(1 Department of Applied Physics,Chongqing University,Chongqing 400044,2 Key Laboratory of Optoelectronic Technology , Systems of the Education Ministry of Chongqing University,Chongqing 400044) |
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