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| 场发射技术在强流真空电子器件中的应用 | |
| 引用本文： | 董长昆,翟莹.场发射技术在强流真空电子器件中的应用[J].真空电子技术,2012(6):1-5,22. |
| 作者姓名： | 董长昆 翟莹 |
| 作者单位： | 温州大学微纳结构与光电器件研究所 |
| 摘 要： | 阴极电子源是强流真空电子器件的核心部件,热阴极存在热辐射能耗大、开启时间偏长、高温下材料蒸发等缺陷。以碳纳米管(CNT)为代表的场发射技术在克服热阴极缺陷、提高器件性能上显示了卓越的潜力。本文回顾了基于CNT、场发射阵列等场发射阴极的强流器件(微波管、X射线管等)的发展现状,并对场发射技术存在的不足和可能的解决途径进行了讨论。 |
| 关 键 词： | 场致发射 碳纳米管 大功率 真空电子器件 |
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