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| ZnO—B2O3—SiO2系统的介电性能研究 | |
| 引用本文： | 吴霞宛,尹萍.ZnO—B2O3—SiO2系统的介电性能研究[J].硅酸盐学报,1996,24(5):590-593. |
| 作者姓名： | 吴霞宛 尹萍 |
| 作者单位： | 天津大学电子工程系 |
| 摘 要： | 对ＺｎＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２三元系统进行了ＸＲＤ和介电性能研究，提出系统的主晶相为方石英，另外还存在Ｚｎ２ＳｉＯ４相。Ｚｎ２ＳｉＯ４的ε为７．７，ｔｇδ≤５×１０＾－４，αｃ（介电常数温度变化率）为＋９０×１０＾－５／℃。调整各组分，获得一系列αｃ〉０的超低介电常数的介质陶瓷，其中介电性能为：ε≤５，Ｒｉ≥１０＾１３Ω，αｃ＝０±３０×１０＾－５／℃的组分，其烧结温度为１１４０℃，可用来制造高频低 |
| 关 键 词： | 氧化锌 氧化硼 氧化硅 烧结 介电性 复合陶瓷 |
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