| 分离打拿极电子倍增器性能提升技术研究 |
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| 作者姓名： | 李洁 杨济世 刘虎林 刘碧野 赵源 胡文波 吴胜利 |
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| 作者单位： | 1.西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室电子科学与工程学院710049;2.中国科学院西安光学精密机械研究所超快诊断技术重点实验室710119;3.北京东方计量测试研究所100086; |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划资助项目(2021YFF0700800,2021YFF0700600);国家自然科学基金项目(52002313,U2241207);科工局重点实验室稳定支持科研项目 |
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| 摘 要： | 研究了磁控溅射法制备二次电子发射薄膜过程中氩气与氧气流量比和打拿极极间分压方式对电子倍增器增益及衰减特性的影响。研究表明,采用25∶5的氩气与氧气流量比所制备的MgO/(MgO-Au)双层结构薄膜具有最大的二次电子发射系数(SEY)和最小的SEY衰减率,同时利用该薄膜制作的九级打拿极电子倍增器具有最高的增益和最小的增益衰减率,这与该薄膜拥有最大的MgO晶粒尺寸和合适的导电性密切相关;采用第九打拿极与地之间的分压电阻阻值为3 MΩ且前八级打拿极极间分压电阻阻值均为6 MΩ的打拿极极间差异化分压方式制作电子倍增器能够提高器件增益,降低器件工作电压,并减缓在电子持续轰击下的增益衰减。该研究结果对高性能分离打拿极电子倍增器研制及其应用具有重要意义。
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| 关 键 词： | 电子倍增器 二次电子发射 氩气与氧气流量比 打拿极极间分压方式 |
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