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| B~+离子注入p型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te | |
| 作者姓名： | 王淑云 |
| 摘 要： | 在77K时对150keV的B~+注入p型HgCdTe进行微分霍尔测量表明:以不同剂量的B~+注入后所形成的n~+层是很明显的。n~+层的厚度取决于B~+的注入剂量,当剂量超过1×10~(13)cm~(-2)时,晶片载流子浓度趋于饱和。 |
| 关 键 词： | 离子注入 碲镉汞 注入剂量 晶格损伤 |
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