| 热处理温度及掺杂对氧化镍电极赝电容器特性的影响 |
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| 引用本文： | 梁逵,陈艾,吴孟强,何莉,周旺. 热处理温度及掺杂对氧化镍电极赝电容器特性的影响[J]. 硅酸盐学报, 2002, 30(1): 1-4 |
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| 作者姓名： | 梁逵 陈艾 吴孟强 何莉 周旺 |
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| 作者单位： | 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 ( 5 0 0 82 0 0 1 ) |
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| 摘 要： | 应用电化学阴极沉积法在Ni基片上制得Ni(OH）2膜，经热处理虱到NiO膜，研究了热处理温度，钴掺杂对NiO膜电极赝电容性能的影响，结果发现：在250－500℃，随着热处理温度的升高，NiO膜电极比容量逐渐减小，钴掺杂使比电容量显著增大，以掺钴的NiO膜为电极，以1mol/L的KOH水溶液为电解质溶液，所得电容器的比电容量可达75F／g。
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| 关 键 词： | 超大容量离子电容器 赝电容器 氧化镍 钴掺杂 热处理温度 特性 |
| 文章编号： | 0454-5648(2002)01-0001-04 |
| 修稿时间： | 2001-06-06 |
EFFECT OF ANNEALING TEMPERATURE AND DOPING ON CHARACTERISTICS OF PSEUDOCAPACITORS UTILIZING NICKEL OXIDE ELECTRODES |
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| Liang Kui,Chen Ai,Wu Mengqiang,He Li,Zhou Wang. EFFECT OF ANNEALING TEMPERATURE AND DOPING ON CHARACTERISTICS OF PSEUDOCAPACITORS UTILIZING NICKEL OXIDE ELECTRODES[J]. Journal of The Chinese Ceramic Society, 2002, 30(1): 1-4 |
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| Authors: | Liang Kui Chen Ai Wu Mengqiang He Li Zhou Wang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | superionistor pseudocapacitor nickel oxide doped cobalt |
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