| 梁式引线GaAs混频二极管对 |
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| 引用本文： | 周剑明,江关辉.梁式引线GaAs混频二极管对[J].固体电子学研究与进展,1999,19(2):203-210. |
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| 作者姓名： | 周剑明 江关辉 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所 |
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| 摘 要： | 文中报导的砷化镓梁式引线反向并联二极管对，可应用于鉴相器、谐波混频器等宽带部件。该器件以半绝缘ＧａＡｓ为衬底，选择ＮｂＭｏ／ＧａＡｓ微合金形成肖特基势垒，ＳｉＯ２和聚酰亚胺双介质作为钝化保护膜，以及合理的工艺途径。器件抗烧毁能力强，可靠性好。其伏安特性ｎ因子小于１．１，结电容２Ｃｊ＝０．１～０．２ｐＦ，正向微分电阻为３～６Ω，分布电容较小，结电容差为ΔＣｊ≤０．０２５ｐＦ，正向电压差为ΔＶＦ≤２５ｍＶ。将该器件应用于１８～４０ＧＨｚ宽带分谐波混频器中，中频带宽为４～８ＧＨｚ，混频器的变频损耗低于２０ｄＢ，本振功率为１３ｄＢｍ。
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| 关 键 词： | 砷化镓 梁式引线 二极管对 |
GaAsBeamLeadMixerDiodePair |
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| ZhouJianmingJiangGuanhui.GaAsBeamLeadMixerDiodePair[J].Research & Progress of Solid State Electronics,1999,19(2):203-210. |
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| Authors: | ZhouJianmingJiangGuanhui |
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| Abstract: | Thedesign,fabricationandcharacterizationofGaAsbeamleadantiparallelmixerdiodepairaredescribedinthispaper.Thepaircanbeusedinwidebandcomponentssuchassubharmonicmixer,phasedetector,etc.Itisfabricatedinproperprocess,byusingsemiinsulatingGaAssinglecrystalassubstrate,NbMo/GaAscontactasSchottkybarrier,andbothSiO2andpolymideaspassivationfilm.Thediodepairisreliable,withIVnfactorlessthan1.1,junctioncapacitanceof0.10.2pF,forwardseriesresistanceof36,junctioncapacitancedifferenceCj0.025pF,forwardvoltagedifferenceVF25mVandlowparasiticcapacitance.The2ndsubharmonicmixerusingthediodepairprovidesfrequencyconversionlosslessthan20dBinthefrequencyrangeof1840GHz,withintermediatefrequencybandwidthof48GHzandlocaloscillatingpowerof13dBm. |
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| Keywords: | GaAsBeamLeadDiodePair |
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