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用RHEED方法实时观测GaSb晶体表面的溶化
引用本文:周玉清,陆坤权. 用RHEED方法实时观测GaSb晶体表面的溶化[J]. 电子显微学报, 2004, 23(4): 417-417
作者姓名:周玉清  陆坤权
作者单位:中国科学院物理研究所,北京,100080
摘    要:晶体不存在过热溶化。人们普遍认为,这是因为在熔点之下晶体的某些表面已发生表面熔化。熔化层的厚度随温度升高而增加,从几个原子层到百个原子层,达到熔点时晶体则完全熔化。已观察到Pb、Au、Cu、Ag及H2O等晶体一些晶面的表面熔化现象。表面熔化已成为人们关注的一个重要

关 键 词:锑化镓晶体 结构分析 反射高能电子衍射法 透射电子显微镜 结构表征

In situ observation on the surface melting of GaSb crystal with RHEED technique
Abstract:
Keywords:
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