| 快速热退火铝合金降低硅p~+-n结的漏电流 |
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| 引用本文： | 郭慧 金辅政. 快速热退火铝合金降低硅p~+-n结的漏电流[J]. 固体电子学研究与进展, 1990, 10(4): 369-373 |
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| 作者姓名： | 郭慧 金辅政 |
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| 作者单位： | 复旦大学物理系(郭慧，邬建根，沈孝良，屈逢源)，上海无线电十七厂(金辅政，张建平)，中国科学院上海技术物理研究所(朱景兵) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金委员会，上海市科委的资助 |
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| 摘 要： | 快速热退火铝合金工艺可以明显改善硼扩硅P~+-n结的漏电流.X射线衍射实验表明,铝原子补偿了硼原子在硅片中造成的应变,改善了晶体的完整性.
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| 关 键 词： | 热退火 铝合金 P－n结 漏电流 硅 |
Decrease of the Leakage Current in the Silicon p~+-n Junction by Rapidly Thermal Annealing Al Alloy |
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| Abstract: | This paper describes a technique of the rapidly thermal annealing Al alloy to decrease the leakage current in B-diffused silicon p+-n junction. X-ray diffraction experiment shows that Al atoms can compensate the strains in the silicon wafers produced by B diffusion and improve the crystalline perfection. |
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