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纳米GaAs—SiO镶嵌复合薄膜的发光特性
引用本文:石旺舟 梁厚蕴. 纳米GaAs—SiO镶嵌复合薄膜的发光特性[J]. 功能材料, 2000, 31(3): 276-277
作者姓名:石旺舟 梁厚蕴
作者单位:汕头大学功能材料实验室!广东汕头515063
基金项目:广东省自然科学基金,苏州大学薄膜材料开放实验室基金
摘    要:采用射频磁控共溅射法制备了纳米GaAs-SiO2镶嵌复合薄膜。通过X射线衍射、透射电镜观察和X射线光电子能谱等手段研究了薄膜的结构及其与沉积过程中基片温度间的关系。测量了薄膜的光致发光特性。表明,薄膜由晶态的GaAs及非晶Sdisplay status两相组成,GaAs在沉积过程中未明显氧化且以纳米颗粒形式均匀地弥散;GaAs的平均粒径依赖于沉积时的基片温度。通过控制基片温度,成功地获得了GaAs的平均粒径分

关 键 词:纳米GaAs-SiO2薄膜 镶嵌复合 发光特性
文章编号:1001-9731(2000)03-0276-02
修稿时间:1999-01-31

Luminous Characteristics of Mosaic Thin Film with GaAs Microcrystallites Embedded in SiO_2 Matrix
SHI Wangzhou,LIANG Houyun. Luminous Characteristics of Mosaic Thin Film with GaAs Microcrystallites Embedded in SiO_2 Matrix[J]. Journal of Functional Materials, 2000, 31(3): 276-277
Authors:SHI Wangzhou  LIANG Houyun
Affiliation:SHI Wangzhou,LIANG Houyun(Laboratory of Functional Materials,Shantou University,Shantou,515063,China)
Abstract:
Keywords:preparation of thin film   GaAs nanocrystal   SiO2 thin film   mosaic composite thin film   luminous characteristics
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