| GaAs－InP复合材料的外延生长方法及金属半导体场效应晶体管器件制备 |
| |
| 引用本文： | 陈松岩,李玉东,王本忠,张玉贤,刘式墉,刘悦.GaAs－InP复合材料的外延生长方法及金属半导体场效应晶体管器件制备[J].高技术通讯,1995(3). |
| |
| 作者姓名： | 陈松岩 李玉东 王本忠 张玉贤 刘式墉 刘悦 |
| |
| 作者单位： | 集成光电子学国家联合重点实验室吉林大学实验区，石家庄电子工业部第１３研究所 |
| |
| 摘 要： | 提出了一种新的生长过渡层的方法，并利用低压金属有机气相外延技术在ＩｎＰ衬底上生长出高质量ＧａＡｓ外延材料，用Ｘ射线双晶衍射测得５μｍ厚ＧａＡｓ外延层的（００４）晶面衍射半峰高宽（ＦＷＨＭ）低至１４０ａｒｃｓｅｃ。并制出ＧａＡｓ金属半导体场效应晶体管（ＭＥＳＦＥＴ），其单位跨导为１００ｍｓ／ｍｍ，可满足与长波长光学器件进行单片集成的需要。
|
| 关 键 词： | 低压MOVPE，GaAs－InP复合材料，金属半导体场效应晶体管，异质外延 |
The Epitaxy Growth of GaAs-InP Composite Material and the Preparation of MESFET Device |
| |
| Chen Songyan, Li Yudong, Wang Benzhong, Zhang Yuxian, Liu Shiyong.The Epitaxy Growth of GaAs-InP Composite Material and the Preparation of MESFET Device[J].High Technology Letters,1995(3). |
| |
| Authors: | Chen Songyan Li Yudong Wang Benzhong Zhang Yuxian Liu Shiyong |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | LP-MOVPE CaAs-InP composite material MESFET |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
