| 单片集成InGaAs PIN-JFET光接收器的设计与研制 |
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| 引用本文： | 张永刚,富小妹,潘慧珍.单片集成InGaAs PIN-JFET光接收器的设计与研制[J].半导体学报,1989,10(2):148-152. |
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| 作者姓名： | 张永刚 富小妹 潘慧珍 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所
(张永刚，富小妹)，中国科学院上海冶金研究所(潘慧珍) |
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| 摘 要： | 本文报告了一种OEIC器件:单片集成InGaAs PIN-JFET光接收器的设计与研制结果.为解决光电器件与电子器件在集成上的兼容性,采用了在结构衬底上进行平面化外延的新工艺,达到了器件的准平面结构,并对器件的主要参数进行了计算,选取了较佳的载流子浓度.制成的单片集成器件中,PIN光探测器的量子效率在1.3μm处为57％,暗电流在-5V下小于100nA,JFET的跨导为34ms/mm,与计算植相符.对器件进行光接收功能测试获得了预期的结果.
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| 关 键 词： | OEIC InGaAs JFET 光探测器 |
Design and Fabrication of Monolithically Integrated InGaAs PIN-JFET Photoreceivers |
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| Zhang Yonggang/.Design and Fabrication of Monolithically Integrated InGaAs PIN-JFET Photoreceivers[J].Chinese Journal of Semiconductors,1989,10(2):148-152. |
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| Authors: | Zhang Yonggang/ |
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| Affiliation: | Zhang Yonggang/Shanghai Institute of Metallurgy,Academia SinicaFu Xiaomei/Shanghai Institute of Metallurgy,Academia SinicaPan Huizhen/Shanghai Institute of Metallurgy,Academia Sinica |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Optoelectronic integrated circuit (OEIC) InGaAs alloy semiconductor Photodetector Field effect transistor (FET) |
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