| 纳米MOS器件中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展 |
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| 引用本文： | 何进,张兴,黄如.纳米MOS器件中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展[J].固体电子学研究与进展,2003,23(4):389-396. |
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| 作者姓名： | 何进 张兴 黄如 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所,北京,100871 |
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| 基金项目： | 富士通和北京大学联合研究项目“低能离子注入模拟及软件开发”的支持 |
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| 摘 要： | MOS器件特征尺寸进入纳米领域时如何形成超浅结是一个重要的挑战。文中讨论了纳米 MOS器件对超浅结离子束掺杂技术的特殊要求以及发展超浅结的主要途径 ,介绍了目前超浅结离子掺杂新技术的最新发展 ,并对其前景进行了展望。
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| 关 键 词： | 纳米技术 金属-氧化物-半导体场效应器件 超浅结 离子掺杂新技术 |
| 文章编号： | 1000-3819(2003)04-389-08 |
| 修稿时间： | 2001年6月29日 |
Ultra-shallow Junction Used in Nano Devices and Development of Related Ion-doping Techniques |
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| HE Jin ZHANG Xing HUANG Ru.Ultra-shallow Junction Used in Nano Devices and Development of Related Ion-doping Techniques[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2003,23(4):389-396. |
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| Authors: | HE Jin ZHANG Xing HUANG Ru |
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| Abstract: | How to realize the ultra-shallow j unction is an important challenge when the feature size of the MOS devices is sc aling down into the nano regime. In this paper, the especial requirements for th e deep sub-um MOS devices to develop the doping technique of the ultra-shallow junction have been discussed, and some new methods for realization of the ultra -shallow junction have been introduced. Finally, the potential application of t hese new techniques has been prospected. |
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| Keywords: | nano technique MOS devices ultra-shallow jun ction ion-doping |
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