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| UHV／CVD设备及其特性 | |
| 引用本文： | 雷震霖,余金中.UHV／CVD设备及其特性[J].真空,1997(6):14-17. |
| 作者姓名： | 雷震霖 余金中 |
| 作者单位： | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心，中国科学院半导体研究所，东北大学 |
| 摘 要： | 本文描述超高真空化学气相淀积系统（ＵＨＶ／ＣＶＤ）的设计思想、系统的结构和性能，着重介绍超高真空的获得和系统的特点，将为“第二代硅”ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结材料的生长及未来的光电子集成提供有力的工具。 |
| 关 键 词： | 超高真空化学气相淀积 设计 系统特点 |
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