| 功率密度对VHF-PECVD制备μc-Si:H的影响 |
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| 作者姓名： | 郭学军 卢景霄 文书堂 杨根 陈永生 张庆丰 谷锦华 |
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| 作者单位： | 郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,郑州,450052;郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,郑州,450052;郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,郑州,450052;郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,郑州,450052;郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,郑州,450052;郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,郑州,450052;郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,郑州,450052 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 在不同功率密度下用甚高频化学气相沉积(VHF-PECVD)法制备了一系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜,并对薄膜的微观结构进行了研究.重点研究了在较低的功率密度下,功率密度的改变对薄膜沉积速率和结晶状况的影响.结果表明,随着功率密度的提高,沉积速率逐渐加大,进一步提高功率密度时,沉积速率趋于饱和;与此同时,薄膜的孵化层厚度和形核密度随功率密度而变化.
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| 关 键 词： | μc-Si:H VHF-PECVD 功率密度 孵化层 成核密度 |
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