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PIN二极管子电路模型与微波限幅研究
引用本文:盛定仪 谭吉春 杨雨川 杨耿. PIN二极管子电路模型与微波限幅研究[J]. 电子对抗, 2007, 0(4): 28-32
作者姓名:盛定仪 谭吉春 杨雨川 杨耿
作者单位:国防科技大学理学院,长沙410073
基金项目:武器装备预研基金项目(51421-KG0152)
摘    要:利用一种改进的PIN二极管子电路模型,通过Pspice软件瞬态仿真研究了PIN限幅器的平顶泄漏和高频限幅性能。利用该子电路对新型SiC材料PIN二极管建模仿真,仿真结果表明新型二极管可以提高限幅器的性能。

关 键 词:PIN二极管 Pspice仿真 限幅器 平顶泄漏 碳化硅
修稿时间:2007-04-20

Study on PIN Diode Subcircuit Model and Microwave Limiting
Sheng Dingyi, Tan Jichun, Yang Yuchuan ,Yang Geng. Study on PIN Diode Subcircuit Model and Microwave Limiting[J]. Electronic Warfare, 2007, 0(4): 28-32
Authors:Sheng Dingyi   Tan Jichun   Yang Yuchuan   Yang Geng
Affiliation:Science School of National University of Defense Technology, Changsha 410073, China
Abstract:
Keywords:PIN diode   Pspice simulation   limiter   flat leakage   SiC
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