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| 压应变SiGe和张应变Si的能带结构研究 | |
| 作者单位： | ;1.深圳信息职业技术学院电子与通信学院 |
| 摘 要： | 根据体Si和体Ge的能带结构特点,基于形变势理论,计算了SiGe合金的应变对其能级的影响。静压应变导致能级偏移,单轴应变导致简并能级分裂,使得应变SiGe合金的禁带宽度随应变的增加而减小。共度生长在体Si衬底上的SiGe合金,以及共度生长在体SiGe衬底上的Si,它们的禁带宽度随Ge组份的增加近乎线性减小。完全压应变的Si_(0.5)Ge_(0.5)合金,其禁带宽度从无应变时的0.93eV减小为0.68eV。Ge组份为0.5时,完全张应变的Si,其禁带宽度从无应变时的1.12eV减小为0.85eV。 |
| 关 键 词： | SiGe合金 应变 能带结构 形变势理论 |
Band Structure of Compressive Strained SiGe and Tensile Strained Si |
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| Keywords: | |