0.18μm自偏置锁相环抗单粒子辐射加固技术研究 |
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作者单位: | ;1.中国电子科技集团公司第五十八研究所;2.中国原子能科学研究院核物理研究所 |
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摘 要: | 设计了一款抗辐射自偏置锁相环(PLL),对PLL电路中关键逻辑进行单粒子效应分析,找出敏感节点,再对这些节点进行加固设计。该PLL电路用SMIC 0.18μm 1P4MCMOS工艺实现了设计。加固后的电路在中国原子能科学研究院核物理研究所,选择入射能量为206MeV、LET为37MeV·cm2/mg的72 Ge离子进行了单粒子辐射试验。PLL未发生失锁现象,能够满足航天应用的需求。
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关 键 词: | 辐射效应 辐射加固 锁相环 单粒子扰动 |
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