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| Ka波段单片自偏压低噪声放大器 | |
| 作者单位： | ;1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所;2.上海科技大学信息学院 |
| 摘 要： | 本文介绍了一款基于0.15μm PHEMT工艺的Ka波段自偏压单片低噪声放大器(LNA)。该款低噪声放大器采用四级级联的电路结构,前两级采用源极电感负反馈同时获得较好的输入驻波和噪声;采用电阻自偏压技术,单电源供电,使用方便。该款低噪声放大器在26~40GHz频段内增益为22±1dB,噪声优于3dB;在36GHz处噪声优于2.5dB。芯片尺寸为2.0mm×1.0mm×0.1mm。 |
| 关 键 词： | 赝调制掺杂异质结场效应晶体管 Ka波段 低噪声放大器 自偏压 单片微波集成电路 |
Ka-band Monolithic Self-bias Low Noise Amplifier |
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