|
|||||
|
|
| 低功耗CMOS带隙基准电压源设计 | |
| 作者单位： | ;1.南昌大学科学技术学院 |
| 摘 要： | 从带隙基准原理出发,通过对传统的带隙基准电路中的反馈环路进行了改进,设计了一种带启动电路的带隙基准电压源。带隙基准电压源电路具有结构简单、功耗低、电压抑制比高以及温度系数低等特点。采用TSMC 0.13μm工艺对电路进行流片,管芯面积为100μm×94μm。测试结果显示,电源电压1V时,在-30~120℃范围内温度系数为6.6×10-6/℃,功耗仅1.8μW;电源电压从0.76V变化到2V,输出电压偏差仅1.52mV,电源抑制比达58dB。 |
| 关 键 词： | 带隙基准 低功耗 高电源抑制比 温度系数 互补金属氧化物半导体 启动电路 |
Design of a Low Power CMOS Bandgap Voltage Reference |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |