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氮离子注入提高4H-SiC n-MOSFET沟道迁移率的分析(英文)
作者单位:
;1.安徽工业大学电气与信息工程学院
摘 要:
氮离子注入提高4H-SiC MOSFET的沟道迁移率来自两方面的原因:一是减小了界面态密度,另一个是反掺杂。本文详细研究了这两方面的原因。结果表明,当氮的反掺杂浓度和P型衬底的掺杂浓度可以相比较的时候,氮离子注入提高4H-SiC MOSFET的迁移率来自于界面态密度的减小;随着反掺杂浓度的增加,反掺杂在氮离子注入提高沟道迁移率的贡献越来越多,同时,在这种情况下,限制沟道迁移率的机制是表面粗糙度散射。
关 键 词:
4H-SiC金属氧化物场效应晶体管
场效应迁移率
界面态密度
氮离子注入
反掺杂
Analysis of Nitrogen Implantation to Improve the Channel Mobility of 4H-SiC n-MOSFET
Abstract:
Keywords:
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