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| GaN HFET中的亚阈值电流和穿通 | |
| 作者单位： | ;1.南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 |
| 摘 要： | 通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程发现栅-漏间隙中的强场峰两侧的异质结能带产生巨大畸变,使部分二维电子气不能通过强场峰而形成局域电子气。从电子气补偿效应出发研究了外沟道夹断前后的沟道电阻变化。研究了从外沟道渗透到内沟道的电场梯度和缓冲层沟道阱,发现了新的电场梯度引起的能带下弯(Electric field gradient induced band bowing,EFGIBB)效应。从漏电压引起的电势下降(Drain-induced barrier lowering,DIBL)和EFGIBB两效应出发建立起新的穿通阱模型,由此解释了实验中观察到的各类阈值电压负移、亚阈值电流和穿通等沟道夹断以后的行为,发现了由强负栅压引起的新穿通现象。最后讨论了新穿通行为对器件性能的影响,探索优化设计器件结构,改善器件性能的新途径。 |
| 关 键 词： | 能带畸变 外沟道电阻 漏电压引起的电势下降 电场梯度引起的能带下弯 亚阈值电流 强负栅压引起的穿通 穿通阱 |
Subthreshold Current and Punch-through in GaN HFET |
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| Keywords: | |