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| 金刚石衬底GaN HEMT研究进展 | |
| 作者单位： | ;1.南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 |
| 摘 要： | SiC衬底GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)综合了AlGaN/GaN异质结优异的输运特性与SiC衬底高导热性能,在高频、宽带、高效、大功率应用领域表现出显著的性能优势。但GaN外延材料中存在高密度的缺陷,影响了导电沟道的散热,散热问题成为影响GaN HEMT性能进一步发挥的主要障碍。本文分析了GaN外延材料高缺陷密度形成的原因,介绍了近年来国外正在开展的基于转移技术金刚石衬底GaN HEMT技术,解决GaN HEMT散热问题的研究进展。研究结果表明,基于转移技术的金刚石衬底GaN HEMT有望成为继SiC衬底GaN HEMT之后的下一代固态微波功率器件主导型器件技术。 |
| 关 键 词： | 氮化镓 高电子迁移率晶体管 金刚石 转移技术 |
The Research Progress of GaN-on-diamond HEMTs |
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| Keywords: | |