1.2~1.4GHz 600W硅LDMOS微波功率晶体管研制 |
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作者单位: | ;1.南京电子器件研究所 |
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摘 要: | 针对雷达、通信、遥控遥测等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,基于南京电子器件研究所LDMOS技术平台,优化了版图布局、芯片结构,开发了50VL波段600 W硅LDMOS。该器件耐压大于115V,在50V工作电压、1.2~1.4GHz工作频率、300μs脉宽,10%占空比及15 W输入功率的工作条件下,输出功率大于630 W,增益大于16.3dB,漏极效率大于53.1%。所研制的芯片已进入相关工程应用。
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关 键 词: | 硅横向扩散金属-氧化物-半导体 L波段 微波功率晶体管 |
Development of 1.2~1.4GHz 600W Silicon LDMOS Microwave Power Transistor |
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