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| 3300V逆导型IGBT器件仿真 | |
| 作者单位： | ;1.全球能源互联网研究院功率半导体研究所 |
| 摘 要： | 基于现有仿真平台,设计一款3 300V/50A逆导型绝缘栅双极晶体管器件(逆导型IGBT或RC-IGBT),元胞采用场截止型平面栅结构,元胞设计中采用载流子增强技术(EP),元胞注入采用自对准工艺,背面P型集电极采用透明集电极技术,降低IGBT工作模式下的饱和压降。采用二维数值仿真研究了器件结构及结构参数对器件性能的影响,通过结构参数拉偏,折衷优化IGBT与内集成二极管的性能参数,仿真得到的3 300V/50A逆导型IGBT器件饱和压降为3.4V,二极管导通压降为2.3V,阈值电压为5.6V,击穿电压为4 480V,与相同电压等级的分立IGBT器件和二极管性能相当。 |
| 关 键 词： | 逆导型绝缘栅双极晶体管 绝缘栅双极晶体管 二极管 饱和压降 |
Simulation of 3300 V Reverse Conducting IGBT |
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| Keywords: | |