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| Q波段2W平衡式GaAs pHEMT功率MMIC | |
| 作者单位： | ;1.微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所 |
| 摘 要： | 报道了一款采用0.15μm GaAs功率MMIC工艺研制的Q波段平衡式功率放大器芯片。芯片采用Lange耦合器进行功率合成。在该平台工艺规则限制条件下,按照传统设计方法设计的Lange耦合器无法满足平衡式放大器设计需求。文中提出了解决方法,对Lange耦合器的端接阻抗进行优化,使得设计的Lange耦合器物理尺寸符合工艺规则要求。放大器采用三级放大拓扑结构,同时综合应用三维和平面场仿真技术,提高电路仿真精度。芯片在43~46GHz频带范围内、6V偏置、连续波工作条件下,饱和输出功率大于33dBm,效率大于15%,功率增益大于14dB,线性增益为16dB,线性增益平坦度小于±0.8dB,芯片面积3.9mm×4.8mm。 |
| 关 键 词： | GaAs 功率放大器 Q波段 平衡式 兰格耦合器 |
2W Q-band Balanced GaAs pHEMT Power Amplifier MMIC |
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| Keywords: | |