| 脉冲激光溅射及富-锆PZT薄膜的性能研究 |
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| 引用本文： | 彭润玲. 脉冲激光溅射及富-锆PZT薄膜的性能研究[J]. 仪器仪表学报, 2003, 24(Z2): 173-174 |
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| 作者姓名： | 彭润玲 |
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| 作者单位： | 上海理工大学,上海,200093 |
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| 基金项目： | 上海理工大学青年基金资助. |
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| 摘 要： | 采用脉冲激光溅射方法将PZT/YBCO沉积在LaAlO3(LAO)基底上,所选择的烧结靶材是Pb(Zr0.94Ti0.06)O3+2%Bi2O3.沉积YBCO和PZT薄膜的基底温度分别为710℃和570℃.整体结构PZT/YBCO/LAO在600℃的基底温度下退火15min.本文通过X射线衍射分析观察了薄膜的结晶状态,利用P-V曲线估计PZT薄膜的电学性质,并测量出薄膜的介电常数与频率(ε-f)以及介电损耗与频率(tanδ-f)的关系曲线.
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| 关 键 词： | PZT 薄 膜 铁 电 脉冲激光溅射 X射线衍射 |
Research on Pulsed Laser Deposition and Properties of Zr-rich PZT Thin Film |
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