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| PECVD生长nc—Si：H薄膜的结构与物性研究 | |
| 作者姓名： | 彭英才 何宇亮 |
| 作者单位： | 河北大学电子与信息工程系!保定，071002，北京航空航天大学非晶态物理与光信息研究室!北京，100083 |
| 摘 要： | 采用H2稀释SiH4和PECVD工艺，在严格控制衬底温度、射频功率、SiH4／H2气体分压比、反应室平衡气压和直流负偏压等各种工艺参数条件下，成功地在c－St、石英和玻璃衬底上沉积了nc－St：H膜。拉曼散射、X射线衍射（XRD）和高分辨率电子显微镜（HRE则研究证实，nc七i五膜具有一些新颖的结构特征，即该膜层由大量E制无序的3i微晶粒组成，其平均晶粒大小为人一3～6urn，晶态比约占整个膜层体积的53士5％。同时膜层中包含有大量的晶间界面，界面区厚度约为2～4个原子层，界面区内贮存有大量的H原子。对nc．St：H膜中的电子传导机制研究… |
| 关 键 词： | 薄膜 生长 PECVD法 结构 |
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