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| 高纯三乙基铝和三乙基镓的研究 | |
| 作者姓名： | 陆凤贞 丁永庆 王嘉宽 彭瑞伍 任尧成 涂嘉浩 张锡卿 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所(陆凤贞，丁永庆，王嘉宽，彭瑞伍，任尧成)，上海化工研究院(涂嘉浩)，上海化工研究院(张锡卿) |
| 摘 要： | <正> 一、引言随着半导体工业的日益发展,材料制备工艺已朝着简便和有效的方向发展,金属有机化学气相沉积(Metalorganic ChemicalVapor Deposition——MOCVD)具有操作简单灵活和生长温度低等特点,已成为目前国际上生长各种新型结构的Ⅲ～Ⅴ族化合物半导体材料中最令人关注的一项新工艺。而MOCVD 工艺中需要的关键原材料之一—— |
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