| 应用厚缓冲层实现蓝宝石上高质量AlN外延层的MOCVD生长 |
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| 引用本文： | 李艳炯,赵红,赵文伯,叶嗣荣,杨晓波.应用厚缓冲层实现蓝宝石上高质量AlN外延层的MOCVD生长[J].半导体光电,2015,36(3):412-416. |
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| 作者姓名： | 李艳炯 赵红 赵文伯 叶嗣荣 杨晓波 |
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| 作者单位： | 重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 在蓝宝石衬底上采用由低温AlN成核层、中温AlN生长层、温度渐变AlN生长层和高温AlN生长层组成的厚三维生长缓冲层来实现AlN外延层位错密度的减少和应力的释放.用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)及X射线衍射仪对样品进行了表征,结果表明所生长外延层表面无裂纹,并显示出清晰的阶梯流表面形貌,其平均粗糙度为0.160 nm,KOH腐蚀坑密度为5.8×108 cm-2,(0002)和(10-12)回摆曲线FWHM分别为210”和396”.详细论述了AlN外延层的生长模式、位错行为和应力释放途径.
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| 关 键 词： | AlN MOCVD 原子力显微镜 X射线衍射 |
| 收稿时间： | 2014/9/30 0:00:00 |
MOCVD Growth of High Quality AlN on Sapphire Substrate by Introducing Thick Buffer Layer |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlN MOCVD AFM X-ray diffraction |
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