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| 第一性原理研究InP的能带结构与光学性能 | |
| 引用本文： | 赵宏健,薛晶文,周珏辉,赵宏伟. 第一性原理研究InP的能带结构与光学性能[J]. 材料导报, 2009, 23(16) |
| 作者姓名： | 赵宏健 薛晶文 周珏辉 赵宏伟 |
| 作者单位： | 1. 浙江大学材料科学与工程学系,杭州,310027;吉林大学机械科学与工程学院,长春,130032 2. 浙江大学材料科学与工程学系,杭州,310027 3. 吉林大学机械科学与工程学院,长春,130032 |
| 基金项目： | 高等学校博士学科点专项基金 |
| 摘 要： | 采用基于局域密度近似的第一性原理方法计算了InP的能带结构和电子态密度,并对InP晶体的电荷分布进行了Mulliken布局分析.计算表明InP是直接带隙半导体材料,其价带主要由In的5s以及P的3s、3p态电子构成,导带主要由P的3p以及In的5s、5p态电子构成;P原子与In原子的电子重叠布局数达2.30,表明In-P键的共价性较强而离子性较弱.利用Kramers-Kronig色散关系对InP的介电函数、能量损失谱、折射率以及吸收系数等进行了计算,计算结果与实验值基本一致.此外,根据计算的能带结构与态密度分析了InP电子结构与光学性质的内在联系,解释了InP材料光学性能的微观机制. |
| 关 键 词： | 第一性原理 能带结构 光学性能 |
First-principles Study of Band Structure and Optical Properties of InP |
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| ZHAO Hongjian,XUE Jingwen,ZHOU Juehui,ZHAO Hongwei. First-principles Study of Band Structure and Optical Properties of InP[J]. Materials Review, 2009, 23(16) | |
| Authors: | ZHAO Hongjian XUE Jingwen ZHOU Juehui ZHAO Hongwei |
| Affiliation: | ZHAO Hongjian1,2,XUE Jingwen1,ZHOU Juehui1,ZHAO Hongwei2(1 Department of Materials Science , Engineering,Zhejiang University,Hangzhou 310027,2 College of Mechanical Science, Engineering,Jilin Univesity,Changchun 130032) |
| Abstract: | The band structure,density of states and Mulliken population analysis of InP are performed by the first-principles method within the local density approximation.As shown by the calculation results,InP is predicted a direct semiconductor.The valence bands of InP are attributed to In 5s,P 3s and P 3p orbits and the conduction bands are attributed to P 3p,In 5s and In 5p orbits.The covalency of In-P bond is revealed via the Mulliken population analy-sis.The dielectric functions,loss function,refractive index a... |
| Keywords: | InP |
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