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提高L80C86系列10种电路性能的研究
引用本文:喻德顺,郭常厚,孙明峰. 提高L80C86系列10种电路性能的研究[J]. 微处理机, 1999, 0(4)
作者姓名:喻德顺  郭常厚  孙明峰
作者单位:东北微电子研究所,沈阳,110032
摘    要:简介了提高 L80 C86系列 1 0种电路性能的技术原理和方法

关 键 词:准双阱  阈值电压VT  版图优化设计

Study of Improved Performance of 10type Circuits in L80C86 Family
Yu Deshun,Northeast Microelectronics Institute,Shenyang. Study of Improved Performance of 10type Circuits in L80C86 Family[J]. Microprocessors, 1999, 0(4)
Authors:Yu Deshun  Northeast Microelectronics Institute  Shenyang
Affiliation:Yu Deshun,Northeast Microelectronics Institute,Shenyang 110032
Abstract:This paper introduced technical principle and method of improved performance of 10 type circuits briefly.
Keywords:quasi twin-well  threshold V T   optimizing the layout design  
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