| 低温制备Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜及其性能研究 |
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| 引用本文： | 王华,于军,王耘波,周文利,谢基凡,朱丽丽. 低温制备Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜及其性能研究[J]. 功能材料, 2001, 32(3): 250-251,253 |
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| 作者姓名： | 王华 于军 王耘波 周文利 谢基凡 朱丽丽 |
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| 作者单位： | 华中理工大学,电子科学与技术系, |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(69771024) |
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| 摘 要： | 采用脉冲激光沉积技术（PLD）在（100）p-Si衬底上，低温淀积、快速退火成功地制备了具有完全钙钛矿结构的多晶PZT铁电薄膜，所制备的PZT铁电薄膜致密、均匀，表现出良好的介电和铁电性能，其介电常数和介电损耗100kHz下分别为320和0.08，剩余极化Pr和矫顽场Ec分别为14μC/cm^2和58kV/cm，＋5V电压下漏电流密度低于10^-7A/cm^2。10^7次极化反转后剩余极化仅下降10％，具有较好的疲劳特性。
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| 关 键 词： | PZT 铁电薄膜 PLD 制备工艺 性能 |
| 文章编号： | 1001-9731(2001)03-0250-02 |
Studies on fabrication and properties of PZT thin films by PLD at Iow temperature |
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| WANG Hua,YU Jun,WANG Yun-bo,ZHOU Wen-li,XIE Ji-fan,ZHU Li-li. Studies on fabrication and properties of PZT thin films by PLD at Iow temperature[J]. Journal of Functional Materials, 2001, 32(3): 250-251,253 |
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| Authors: | WANG Hua YU Jun WANG Yun-bo ZHOU Wen-li XIE Ji-fan ZHU Li-li |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PZT ferroelectric thin film PLD fabrication technique |
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