KOH体系下负向电压对ZAlSi12Cu2Mg1微弧氧化膜形成的影响 |
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引用本文: | 刘婷婷,刘向东,张雅萍,吕凯.KOH体系下负向电压对ZAlSi12Cu2Mg1微弧氧化膜形成的影响[J].材料热处理学报,2014(8). |
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作者姓名: | 刘婷婷 刘向东 张雅萍 吕凯 |
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作者单位: | 内蒙古工业大学材料科学与工程学院;内蒙古化工职业技术学院; |
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基金项目: | 内蒙古高等学校科学研究项目(NJZY11254) |
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摘 要: | 负向电压对微弧氧化陶瓷膜形成有极其重要的影响。电解液组成变化时,负向电压也必须作相应调整,才能确保微弧氧化过程的稳定和氧化膜的质量。在含mSiO2·nH2O的KOH复合电解液中,在负向电压60~140 V的条件下对ZAlSi12Cu2Mg1合金进行微弧氧化。采用电涡流测厚仪、SEM和XRD对陶瓷膜进行表征,研究了负向电压对厚度、表面形貌、相组成及耐磨性的影响。结果表明:随着负向电压增大,膜厚增加,膜层中有显微裂纹存在;负向电压为120 V时,膜厚达到186.7μm,耐磨性好。膜层主要由Mullite及α-Al2O3相组成,但衍射谱中α-Al2O3相峰强较高。
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关 键 词: | 微弧氧化 负向电压 ZAlSiCuMg 陶瓷膜 |
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