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顶背栅分离JFET背栅电位稳定技术的研究
引用本文:李育贤. 顶背栅分离JFET背栅电位稳定技术的研究[J]. 重庆理工大学学报(自然科学版), 2000, 14(4): 16-19,27
作者姓名:李育贤
作者单位:西安邮电学院计算机系,西安
摘    要:在JFET作输入管的代噪声高精度运放中,为了进一步减小输入偏流,增大输入阻抗,可使顶、背栅分离,且仅以顶栅接输入信号,而背栅接片内控制电路。本文将分析一种用于对这种JFET背栅电平进行动态稳定控制的电路。

关 键 词:JFET 背栅 分离 顶栅 运算放大器 电位稳定技术

Research on Potential Stability Technology of JFET Back Grid When Plate Fond and Back Grid Separated
LI Yu-xian. Research on Potential Stability Technology of JFET Back Grid When Plate Fond and Back Grid Separated[J]. Journal of Chongqing University of Technology(Natural Science), 2000, 14(4): 16-19,27
Authors:LI Yu-xian
Abstract:When JFET is used as a low-noise and high-operational amplifier in input tube, plate fond and back grid can be separated to decrease input bias and increase input impedance. Besides, plate fond can receive input signal alone, and back grid connects the control circuit in the plate. This paper is going to analyze a control circuit to stabilize dynamically the electrical level in JFET back grid.
Keywords:JFET  circuit  plate fond and back gr
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