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| 第二代半导体材料、器件及电路的发展趋势 | |
| 作者姓名： | 李和委 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团总公司第十三研究所 |
| 摘 要： | 砷化镓(GaAs）、磷化铟(InP）、硅锗(SiGe）单晶性能优异。适用于高速、高频、高温和大功率电子器件，是制作高性能微波和毫米波器件及电路的优良材料，广泛应用于相控阵雷达，电子对抗，卫量通信、移动通信等领域，具有广阔的军民两用市场和发展前景，对发展微电子工业起着关键作用。 |
| 关 键 词： | InP单晶材料 SiGe 化合物半导体 砷化镓 磷化铟 硅锗 发展趋势 |
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