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双坩埚LEC法砷化镓熔体流动与传热传质数值模拟
引用本文:王正乾,李明伟,徐赟瑜,王晓丁. 双坩埚LEC法砷化镓熔体流动与传热传质数值模拟[J]. 材料科学与工程学报, 2009, 0(6)
作者姓名:王正乾  李明伟  徐赟瑜  王晓丁
作者单位:重庆大学动力工程学院;
基金项目:国家自然科学基金资助项目(50676113); 教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-05-0761)
摘    要:采用低雷诺数κ-ε湍流模型,模拟了双坩埚LEC法砷化镓熔体的流动与传热传质。分析了不同晶体转速、内坩埚转速、外坩埚转速条件下的熔体流动与传热,获得了考虑溶质分凝效应后的Si掺杂在砷化镓熔体中的分布。结果表明:随着晶体转速的增大,生长界面附近等温线更加平直且等温线密度增大;随着内坩埚转速的增大,生长界面附近等温线凸向熔体;外坩埚转速对生长界面等温线形状影响很小;Si在熔体中的质量浓度梯度除生长界面和补充熔体进口处较大外,主要集中在小管内及其附近。

关 键 词:液封提拉法  质量浓度  数值模拟  双坩埚  

Numerical Simulation of LEC Growth of GaAs with a Double Crucible
WANG Zheng-qian,LI Ming-wei,XU Yun-yu,WANG Xiao-ding. Numerical Simulation of LEC Growth of GaAs with a Double Crucible[J]. Journal of Materials Science and Engineering, 2009, 0(6)
Authors:WANG Zheng-qian  LI Ming-wei  XU Yun-yu  WANG Xiao-ding
Affiliation:WANG Zheng-qian,LI Ming-wei,XU Yun-yu,WANG Xiao-ding(College of Power Engineering,Chongqing University,Chongqing 400030,China)
Abstract:
Keywords:liquid encapsulant czochralski method  mass concentration  numerical simulation  double crucible  
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