| InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管 |
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| 引用本文： | 陆大成,韩培德,刘祥林,王晓晖,汪度,袁海荣,王良臣,徐萍,姚文卿,高翠华,刘焕章,葛永才,郑东. InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管[J]. 半导体学报, 2000, 21(4): 414-416 |
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| 作者姓名： | 陆大成 韩培德 刘祥林 王晓晖 汪度 袁海荣 王良臣 徐萍 姚文卿 高翠华 刘焕章 葛永才 郑东 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室!北京100083，中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室!北京100083，中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室!北京100083，中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室!北京100083，中国科学院半导体研究所半导体材料科学实 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划);; |
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| 摘 要： | 报道了用 LP- MOVPE技术在蓝宝石 ( α- Al2 O3)衬底上生长出以双掺 Zn和 Si的 In Ga N为有源区的绿光 In Ga N/Al Ga N双异质结结构 ,并研制成功发射波长为 52 0— 540 nm的绿光LED.
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| 关 键 词： | 绿光LED InGaA/AlGaN 双异质结 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)04-0414-03 |
| 修稿时间： | 2000-01-19 |
InGaN/AlGaN DH Green LED+* |
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| LU Da|cheng,HAN Pei|de,LIU Xiang|lin,WANG Xiao|hui,WANG Du and YUAN Hai|rong. InGaN/AlGaN DH Green LED+*[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2000, 21(4): 414-416 |
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| Authors: | LU Da|cheng HAN Pei|de LIU Xiang|lin WANG Xiao|hui WANG Du YUAN Hai|rong |
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| Abstract: | A Zn and Si co|doped InGaN/AlGaN double|heterostructure has been grown on Al-2O-3 substrate by LP|MOVPE.Green LEDs with wavelength of 520~540nm have been fabricated.This is first report on green GaN based LED in China. |
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| Keywords: | Green LED InGaN/AlGaN DH |
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