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薄膜厚度对ITO膜结构与性能的影响
引用本文:辛荣生,林钰. 薄膜厚度对ITO膜结构与性能的影响[J]. 真空, 2007, 44(5): 22-24
作者姓名:辛荣生  林钰
作者单位:1. 郑州大学材料科学与工程学院,河南,郑州,450052
2. 河南教育学院化学系,河南,郑州,450014
摘    要:本文对所研究的直流磁控溅射法制备的ITO透明导电薄膜,采用X射线衍射技术进行了膜层晶体结构与薄膜厚度关系的分析, 并测量了薄膜电阻率及透光率随薄膜厚度的变化情况.实验结果表明,当控制薄膜厚度达70 nm以上时,可获得结晶性好、电阻率低和透光率高的ITO透明导电薄膜,所镀制的ITO膜电阻率已降到1.8×10^-4 Ωcm,可见光透过率达80%以上.最后还对所镀制的ITO透明导电薄膜的质量指标作了评估.

关 键 词:磁控溅射  ITO膜  膜厚  电阻率  透光率
文章编号:1002-0322(2007)05-0022-03
修稿时间:2007-05-26

Influence of film thickness on structure and properties of ITO films
XIN Rong-sheng,LIN Yu. Influence of film thickness on structure and properties of ITO films[J]. Vacuum(China), 2007, 44(5): 22-24
Authors:XIN Rong-sheng  LIN Yu
Affiliation:1. College of Material Science and Engineering, Zhengzhou University, Zhengzhou 450052, China ; 2. Department of Chemistry,Henan Education Institute, Zhengzhou 450014, China
Abstract:
Keywords:magnetron sputtering    ITO thin film    thickness    resistivity    transmissivity
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