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| 半导体隔片电化学光电池——Ⅲ.光电压时域特性 | |
| 作者姓名： | 肖科 |
| 作者单位： | 中国科学院界面科学实验室 |
| 摘 要： | 本文采用二阶随动系统数学模型,模拟CdSe SC-SEPs的光电压—时间响应特性,讨论光电压响应的时间常数及光电压与光照密度的关系。在光照密度大于200mW/cm~2的条件下,对经过反复刻蚀处理的CdSe SC-SEPs,记录到光电压达2.087V和光电流为30mA/cm~2的新结果。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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