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| 硅上β-FeSi2的超高真空镀膜外延及其光学性质研究 | |
| 作者姓名： | 林成鲁 王连卫 陈向东 沈勤我 郑立荣 倪如山 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金所,上海,200050 |
| 摘 要： | 成果简介 β-FeSi2作为一种新型半导体材料,具有Eg＝0.84-0.89eV直接带隙,并能在硅表面外延,为利用成熟的硅器件工艺发展硅基近红外光源,探测器等光电器件,并进而发展光电器件与VLSI及ULSI的集成提供了可能. |
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