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| GaNAs／GaAs中的激子局域化和发光特性 | |
| 引用本文： | 罗向东 徐仲英 谭平恒 GEWei-Kun.GaNAs／GaAs中的激子局域化和发光特性[J].红外与毫米波学报,2005,24(3):185-188. |
| 作者姓名： | 罗向东 徐仲英 谭平恒 GEWei-Kun |
| 作者单位： | 1. 南通大学理学院,江苏省光用集成电路设计重点实验室,江苏,南通;226007;中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083 2. 中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083 3. 中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083;香港科技大学,物理系,香港特别行政区九龙 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(10274081,10334040)，江苏省自然科学基金(BK2004403). |
| 摘 要： | 通过多种光谱手段研究了GaNAs量子阱和体材料中的局域态和非局域态的不同光学特性．在超短激光脉冲激发下，第一次在GaNAs／GaAs量子阱发光光谱中，观察到非局域激子发光．选择激发光谱表明，局域中心主要聚集在GaNAs、GaAs异质结界面．在低N含量的GaNAs体材料发光光谱中，除了与N相关的局域态发光外，也发现发光特性完全不同的GaNAs合金态发光．这些结果为理解Ⅲ-Ⅴ-N族半导体的异常能带特性具有十分重要的意义． |
| 关 键 词： | GaNAs 激子局域化 光学性质 量子阱 半导体材料 |
| 文章编号： | 1001-9014(2005)03-0185-04 |
| 收稿时间： | 2004/10/20 |
| 修稿时间： | 2004年10月20 |
OPTICAL PROPERTIES AND EXCITON LOCALIZATION IN GaNAs/GaAs |
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| LUO Xiang-Dong,XU Zhong-Ying,TAN Ping-Heng,GE Wei-Kun.OPTICAL PROPERTIES AND EXCITON LOCALIZATION IN GaNAs/GaAs[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2005,24(3):185-188. | |
| Authors: | LUO Xiang-Dong XU Zhong-Ying TAN Ping-Heng GE Wei-Kun |
| Abstract: | GaNAs/GaAs single quantum wells (SQWs) and dilute GaNAs bulk grown by molecular beam epitaxy(MBE) were studied by photoluminescence (PL), selectively-excited PL, and time-resolved PL. Exciton localization and delocalization were investigated in detail. Under short pulse laser excitation, the delocalization exciton emission was revealed in GaNAs/GaAs SQWs. It exhibits quite different optical properties from N-related localized states. In dilute GaNAs bulk, a transition of alloy band related recombination was observed by measuring the PL dependence on temperature and excitation intensity and time-resolved PL as well. This alloy-related transition presents intrinsic optical properties. These results are very important for realizing the abnomal features of Ⅲ-Ⅴ-N semiconductors. |
| Keywords: | GaNAs excitonic localization optical properties |
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