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| 两步镀膜Ti/Al/Ti/Au的n型GaN欧姆接触研究 | |
| 引用本文： | 管志斌,王立,江风益,叶建青. 两步镀膜Ti/Al/Ti/Au的n型GaN欧姆接触研究[J]. 功能材料与器件学报, 2003, 9(3): 347-350 |
| 作者姓名： | 管志斌 王立 江风益 叶建青 |
| 作者单位： | 1. 南昌大学材料科学研究所,南昌,330047;南昌欣磊光电科技有限公司,南昌,330012 2. 南昌大学材料科学研究所,南昌,330047 3. 南昌欣磊光电科技有限公司,南昌,330012 |
| 摘 要： | 报道了一种可靠稳定且低接触电阻的n型GaN欧姆接触。首先在掺硅的n型GaN(3×1018cm-3)蒸镀Ti(30nm)/Al(500nm),然后在氮气环境530℃合金化3min,最后蒸镀Ti(100nm)/Au(1000nm)用于保护Al层不被氧化。该接触电极有良好的欧姆接触特性,比接触电阻率为8.8×10-5Ωcm2,表面平坦、稳定、易焊线,可应用于制作高性能的GaN器件. |
| 关 键 词： | 两步镀膜 Ti／Al／Ti／Au 欧姆接触 半导体器件 GaN |
| 文章编号： | 1007-4252(2003)03-0347-04 |
| 修稿时间： | 2002-11-14 |
Study of two-step depositing Ti/Al/Ti/Au ohmic contacts to n-type GaN |
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| GUAN Zhi- bin,,WANG Li,JIANG Feng- yi,YE Jian- qing. Study of two-step depositing Ti/Al/Ti/Au ohmic contacts to n-type GaN[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2003, 9(3): 347-350 | |
| Authors: | GUAN Zhi- bin WANG Li JIANG Feng- yi YE Jian- qing |
| Affiliation: | GUAN Zhi- bin1,2,WANG Li1,JIANG Feng- yi1,YE Jian- qing2 |
| Abstract: | |
| Keywords: | two step depositing Ti/Al/Ti/Au GaN ohmic contact |
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