| 脉冲激光沉积法Li-N双受主共掺p型ZnO薄膜的生长及其特性 |
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| 引用本文： | 张银珠,叶志镇,吕建国,何海平,顾修全,赵炳辉,Zhang Yinzhu,Ye Zhizhen,Lü Jianguo,He Haiping,Gu Xiuquan,Zhao Binghui.脉冲激光沉积法Li-N双受主共掺p型ZnO薄膜的生长及其特性[J].半导体学报,2007,28(Z1):322-325. |
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| 作者姓名： | 张银珠 叶志镇 吕建国 何海平 顾修全 赵炳辉 Zhang Yinzhu Ye Zhizhen Lü Jianguo He Haiping Gu Xiuquan Zhao Binghui |
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| 作者单位： | 张银珠（浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027）;叶志镇（浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027）;吕建国（浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027）;何海平（浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027）;顾修全（浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027）;赵炳辉（浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027） |
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| 摘 要： | 采用脉冲激光沉积技术制备了Li-N双受主共掺杂p型ZnO薄膜,其中Li来自Li掺杂ZnO陶瓷靶,N来自N2O生长气氛.室温Hall测试发现Li-N共掺p型ZnO薄膜的最低电阻率为3.99Ω·cm,迁移率为0.17cm2/(V·s),空穴浓度为9.12×1018cm-3.PL谱测试发现了与Li受主和N受主态相关的发光峰,其受主能级分别约为120和222meV.由p-ZnO:(Li,N)薄膜制备的ZnO同质p-n结具有整流特性.
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| 关 键 词： | Li-N双受主共掺杂 p-ZnO 脉冲激光沉积 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0322-04 |
| 修稿时间： | 2006年11月16 |
Preparation and Characterization of p-Type ZnO Using Li-N Dual-Acceptor Doping Method by Pulsed Laser Deposition |
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| Zhang Yinzhu,Ye Zhizhen,He Haiping,Gu Xiuquan,Zhao Binghui.Preparation and Characterization of p-Type ZnO Using Li-N Dual-Acceptor Doping Method by Pulsed Laser Deposition[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1):322-325. |
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| Authors: | Zhang Yinzhu Ye Zhizhen He Haiping Gu Xiuquan Zhao Binghui |
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