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Si/SiGe/Si-SOI异质结构的同步辐射双晶貌相术和高分辨三轴晶X射线衍射
引用本文:马通达,屠海令,胡广勇,邵贝羚,刘安生. Si/SiGe/Si-SOI异质结构的同步辐射双晶貌相术和高分辨三轴晶X射线衍射[J]. 半导体学报, 2005, 26(7): 1359-1363
作者姓名:马通达  屠海令  胡广勇  邵贝羚  刘安生
作者单位:北京有色金属研究总院国家半导体材料工程研究中心 北京100088(马通达,屠海令),北京有色金属研究总院国家有色金属及电子材料分析检测中心 北京100088(胡广勇,邵贝羚),北京有色金属研究总院国家有色金属及电子材料分析检测中心 北京100088(刘安生)
摘    要:运用同步辐射双晶貌相术结合高分辨三轴晶X射线衍射对经原位低温热处理的Si/SiGe/Si-SOI异质结构进行研究,发现Si层(004)衍射峰两侧半高宽(FWHMs)处同步辐射双晶形貌像特征存在明显差异.对同步辐射双晶摇摆曲线中Si层(004)衍射峰的不对称性给予了解释,同时阐明了高分辨三轴晶X射线衍射2θ-ω扫描曲线中Si层(004)衍射双峰与Si层衍射结构的对应关系.

关 键 词:同步辐射双晶貌相术;高分辨三轴晶X射线衍射;衍射双峰
文章编号:0253-4177(2005)07-1359-05
收稿时间:2004-11-09
修稿时间:2005-01-21

Si/SiGe/Si-SOI by Synchrotron Radiation Double-Crystal Topography and High-Resolution Triple-Axis X-Ray Diffraction
Ma Tongda,Tu Hailing,HU Guangyong,Shao Beiling,Liu Ansheng. Si/SiGe/Si-SOI by Synchrotron Radiation Double-Crystal Topography and High-Resolution Triple-Axis X-Ray Diffraction[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(7): 1359-1363
Authors:Ma Tongda  Tu Hailing  HU Guangyong  Shao Beiling  Liu Ansheng
Abstract:
Keywords:synchrotron radiation double-crystal topography  high-resolution triple-axis X-ray diffraction  double diffraction peaks
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